氧化/擴散/退火爐
所屬分類：
臥式爐管設備
半導體芯片設備
氧化/擴散/退火爐
概要：
? 適用領域：集成電路、先進封裝、化合物半導體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors ? 適用材料: ?Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) ? 晶圓尺寸：12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch ? 適用工藝：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴散(Diffusion) Applicable Processes: Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion
關鍵詞：
LPCVD立式爐管設備
氧化/擴散/退火爐
產品應用Product Applications：
♦ 適用領域：集成電路、先進封裝
Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging
♦ 適用材料: Si
Suitable for Processing: Silicon (Si)
♦ 晶圓尺寸：12/8 英寸
Wafer Size: 12/8 inch
♦ 適用工藝：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴散(Diffusion)
Applicable Processes: Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion
技術指標 Technical Parameters：
♦ 制程溫度范圍：300°C-1250°C
Process Temperature Range: 300°C-1250°C
♦批次片數(shù): 100-250片
Batch Capacity: 100-250 pcs
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